Pesos Incoterms:FCA (Punto ng Shipping) Kinokolekta ang mga bayarin sa duty, customs at buwis sa oras ng paghahatid. Libreng shipping sa karamihan ng mga order na higit sa ₱2,000 (PHP)
Mga US Dollar Incoterms:FCA (Punto ng Shipping) Kinokolekta ang mga bayarin sa duty, customs at buwis sa oras ng paghahatid. Libreng shipping sa karamihan ng mga order na higit sa $50 (USD)
Reference lang ang mga larawan Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto
Hindi kayang magkaroon ng link sa oras na ito. Pakisubukan muli. Pakisubukan muli.
Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors
Bourns Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine technology from a MOSFET gate and a bipolar transistor and are designed for high voltage/high current applications. The Model BID IGBTs use advanced Trench-Gate Field-Stop technology to provide greater control of the dynamic characteristics, resulting in a lower Collector-Emitter Saturation Voltage and fewer switching losses. The IGBTs feature a -55°C to +150°C operating temperature range and are available in TO-252, TO-247, and TO-247N packages. These thermally efficient components provide a lower thermal resistance making them suitable IGBT solutions for Switch-Mode Power Supplies (SMPS), Uninterruptible Power Sources (UPS), and Power Factor Correction (PFC) applications.