ADPA1116 GaN Power Amplifiers
Analog Devices ADPA1116 GaN Power Amplifiers feature a 39.5dBm saturated output power (POUT) power added efficiency (PAE) of 40% and a power gain of 23.5dB typical from 0.5GHz to 5GHz at an input power (PIN) of 16.0dBm. The RF input and output are internally matched and AC-coupled. A drain bias voltage of 28V is applied to the VDD1 and VDD2 pins, which have integrated bias inductors. The drain current is set using a negative voltage to the VGG1 pin. The ADPA1116 is manufactured using a gallium nitride (GaN) process and is available in a 32-lead chip scale package. The ADI ADPA1116 amps are specified for operation from -40°C to +85°C.
Walang Nahanap na Resulta.
Subukang baguhin ang termino ng paghahanap mo sa ibaba o bumisita sa aming Help Center.
Subukang baguhin ang termino ng paghahanap mo sa ibaba o bumisita sa aming Help Center.
Mga Mungkahi sa Paghahanap
- Tingnan ang spelling ng numero ng piyesa o mga keyword
- Gumamit ng mas kaunti o iba't ibang keyword
- Maghanap ng 1 numero ng piyesa sa bawat pagkakataon
- Gumamit ng 1 filter sa bawat pagkakataon