Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

BST400D12P4A101

Name: ROHM Semiconductor BST400D12P4A101
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BST400D12P4A101
Price: 35282.91 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

755-BST400D12P4A101

Mfr. #:

BST400D12P4A101

Mfr.:

ROHM Semiconductor

Paglalarawan:

MOSFET Modules half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

BST400D12P4A101 Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa ROHM Semiconductor BST400D12P4A101

May Stock: 80

Stock:: 80 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 27 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱35,282.91	₱35,282.91
	₱31,413.62	₱314,136.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET Module
Teknolohiya:	SiC
Isitilo ng Mounting:	Press Fit
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	394 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	8.6 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4.8 V
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	1.667 kW
Packaging:	Bulk
Brand:	ROHM Semiconductor
Kumpigurasyon:	Dual
Tagal ng Pagbagsak:	42 ns
Produkto:	Power Module
Uri ng Produkto:	MOSFET Modules
Tagal ng Pagtaas:	102 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	80
Subcategory:	Discrete and Power Modules
Pangalang pangkalakal:	EcoSiC
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	198 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	119 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

BST400D12P4A101 Datasheet

Specification Sheets

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

Mga Kodigo sa Pagsunod

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Mga Klasipikasyon ng Pinagmulan

Bansang Pinagmulan:: Japan
Bansang Pinagmulan ng Pag-assemble:: Hindi available
Bansa ng Diffusion:: Hindi available

Ang bansa ay maaaring magbago sa oras ng pagpapadala.

BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules

ROHM Semiconductor BST400D12P4A101 and BST400D12P4A111 TRCDRIVE pack™ with 2-in-1 SiC Molded Modules feature 1200V rated voltage in a compact package with 41.6mm × 52.5mm dimensions. These modules integrate 4th Generation SiC MOSFETs for a power-dense design that greatly reduces the size of electric vehicle (xEV) inverters. ROHM Semiconductor BST400D12P4A101 and BST400D12P4A111 modules support up to 300kW and feature a terminal configuration designed to meet the critical challenges of traction inverters regarding miniaturization, higher efficiency, and fewer person-hours. These modules do not require soldering for the signal terminals, offering ease of use for designers.

High-Density SiC Power Modules

ROHM Semiconductor High-Density Silicon Carbide (SiC) Power Modules are designed to support high-efficiency power conversion in automotive and industrial applications. The lineup includes several package platforms such as TRCDRIVE pack™, HSDIP20, and DOT-247, each optimized for different power classes and system requirements. These packages integrate SiC MOSFETs into compact module structures that enable high power density, stable switching performance, and efficient thermal management. Depending on the package, configurations such as 2-in-1, 4-in-1, and 6-in-1 are available, providing flexibility for a wide range of power conversion and motor drive applications.